- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 27/11565 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec isolateurs de grille à piégeage de charge, p.ex. MNOS ou NROM caractérisées par la configuration vue du dessus
Détention brevets de la classe H01L 27/11565
Brevets de cette classe: 2218
Historique des publications depuis 10 ans
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| 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
511 |
| Sandisk Technologies LLC | 5684 |
405 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
384 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
254 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
213 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
166 |
| Macronix International Co., Ltd. | 2562 |
69 |
| Sunrise Memory Corporation | 192 |
33 |
| Lodestar Licensing Group LLC | 583 |
30 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
22 |
| Renesas Electronics Corporation | 6305 |
16 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
9 |
| Toshiba Memory Corporation | 255 |
9 |
| Monolithic 3D Inc. | 270 |
8 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1290 |
7 |
| Intel NDTM US LLC | 373 |
7 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1115 |
6 |
| Trinandable S.r.l. | 6 |
6 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
5 |
| JPMorgan Chase Bank, National Association | 10964 |
5 |
| Autres propriétaires | 53 |